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      行業動態

      武漢新芯動土在即,首攻NAND Flash

      中國發展內存產業再有新進展!中國武漢新芯將建新內存廠,市場傳出新廠動土儀式就落在本月 28 日,然而,根據科技新報取得的消息,武漢新芯將建的為 NAND Flash 廠,而非 DRAM 廠,據悉,國家集成電路產業發展基金(大基金)與湖北省政府已到位,武漢新芯已磨刀霍霍進軍 Flash 市場。

        中國擬自建半導體供應鏈,在國安、軍事考慮下,內存一直是中國亟欲自足發展的領域,并屬意選定一個省市為重點發展區域,先前在六大地方政府競逐下,最終由武漢新芯出線,獲得大基金挹注,統籌整體內存產業發展。

        據悉大基金與湖北地方政府資金已于二月底到位,市場傳出武漢新芯將于 28 日舉行 12寸DRAM 廠動工儀式,然根據科技新報取得的消息,武漢新芯將先行建造 Flash 廠,先行鎖定 NOR 型 Flash,并逐步移轉至 NAND Flash 產品,甚至 3D NAND Flash,最終目標產能 30 萬片。

        從 3D NAND Flash 彎道超車的野心

        從武漢新芯近期的布局或可看出端倪,2015 年 5 月,武漢新芯才與 NOR 內存廠商飛索半導體(Spansion)簽訂合作協議與交叉授權發展 3D NAND Flash 技術。從武漢新芯財務長陳少民、營運長洪沨近期出席上海 SEMICON China 與廈門 2015 集成電路產業促進大會的談話,主軸同樣繞在 Flash 產業的布局。

        武漢新芯財務長陳少民在 15 日才開幕的上海 SEMICON China 內存產業發展論壇上即指出,「日本抓住了 DRAM 發展機遇,韓國抓住了 DRAM 和 NAND 發展機遇,兩國都成為了內存行業的領頭羊。如今 3D NAD 技術興起,十三五規劃又將半導體作為發展重點,我們正謂正好走到了一個發展的『風口』勢必把握這一機會?!购闆h早前也稱,3D NAND Flash 將成為中國內存芯片產業彎道超車的切入點。武漢新芯、中國的內存布局或將從 Flash 展開。

        大廠紛紛押寶,價格戰已可預見?

        然而,不只武漢新芯,各大內存大廠也爭相加大 3D NAND Flash 的投資,英特爾大連廠轉生產 3DNAND Flash,于下半年產能開出,SK 海力士在三月初則傳出投入 15.5 兆韓元擴充 NAND Flash 產能,并于 2019 投產, 17 日,東芝也宣布三年內要投資 3600 億日圓建廠擴產,同樣押寶 3D NAND Flash。

        外資 RBC Capital Markets 分析師 Amit Daryanani 近期的報告即發出憂心,在業者紛紛轉進 3D NAND Flash 下,平均銷售價格(ASP)將被拉低,甚至可能出現價格暴跌的情形,使得部分廠商陷入困境。3D NAND Flash 未來是否會掀起一場價格血雨同樣令人關注。

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