經歷2016年閃存顆粒制程的“尷尬”后，在已然到來的2017年，各大存儲大廠紛紛加緊研發3D NAND技術，以期在新的技術革命周期當中，能夠在閃存市場取得先機，從而搶奪更多的市場份額。

    日前，來自韓國的閃存大廠SK海力士，向媒體透露，即將在2017年正式推出第四代3D NAND技術，并且量產基于72層堆疊的3D NAND閃存顆粒。

    而就在此消息曝出不久，近日另一家來自美國的閃存大廠鎂光也向媒體透露，預計在2017年年底，正式量產基于64層堆疊的新一代3D NAND技術，以實現單晶顆粒的容量提升80%，成本減少30%的目的。

    除此之外，鎂光還表示，鑒于第一代QuantX的產品容量小，且讀寫水平僅僅持平三星的960 PRO，并沒有達到Intel標稱的10倍現今SSD的性能，鎂光正在加緊研究二代、三代的QuantX（即3D Xpoint技術，鎂光內部稱呼為 QuantX）。