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      行業動態

      新希望?中芯國際40nm ReRAM芯片出樣

      目前在下一代存儲芯片的研發當中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。

          2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發力中國市場。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產ReRAM芯片。

      中芯國際40nm ReRAM存儲芯片出樣:比NAND快1000倍!

          近日,兩者合作的結晶終于誕生,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。

          據介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強,密度比DRAM內存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現TB級存儲,還具備結構簡單、易于制造等優點。

          另外,按計劃更先進的28nm工藝ReRAM芯片也將在2017年上半年問世。

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