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      行業動態

      振興中國存儲 這三件事需要產業思考

      過去幾年,中國正在瘋狂存儲產業,尤其是經歷了2016年的兼并整合以后,中國的存儲產業初具規模。但就目前看來,中國存儲能否大獲成功,就得看在來年,包括Intel、三星、美光等知名的存儲產品供應商是否愿意和中國簽署相關技術授權協議。

          對中國利好的消息是,現在行業內的存儲玩家都不想看到三星持續一家獨大的現狀,中國這波掀起對存儲格局的改變,或許會吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。

          IC Insights的分析師指出,隨著PC、數據中心服務器、平板、智能手機和其他設備的興起,中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個前所未有的階段。所以他們在“十三五規劃”里把發展存儲放在一個重要的位置。

      面臨的難題

          但坦白說,中國現在的技術儲備,是撐不起中國現在的存儲野心的。其實隨著后續IoT和AI應用的大量興起,存儲需求是會大量攀升的,對于中國來說,如何迅速獲得核心技術,就成為中國存儲產業關注的首要問題。

          據分析,中國存儲還是需要關注以下問題:

      (1)中國能否自主設計和生產存儲芯片?

      (2)如果中國不能自主設計,能否買到有相關技術的公司?

      (3)如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業發起的并購,中國還可以從哪里獲得相關技術?

          另外還有一個重要的問題,那就是足夠是否能夠籠絡到一批經驗足夠豐富的存儲相關工程師,以撐起其發展的野心。

          但換個角度看,存儲供應商同樣面臨困擾(包括美國本土的)。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩,他們的未來能怎么辦?

          這不僅僅是中國市場的問題,還有一點就是隨著技術的發展,研發成本支出也越來越大,對于一些稍欠缺點競爭力的廠商,他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢的中國恰好能夠解決這兩個問題。

          美國硅谷一個不具名的半導體高層表示,如果美光和東芝不和中國達成某種合作,他們應該是最先受到沖擊的。

          另一個問題是,假設中國真的如期推出了其存儲產品,那么在未來幾年,全球市場勢必會面臨NAND和Flash產能過程的問題。

          IC Insights最近的指出,2016年全球存儲的資金支出大增,但根據過去的觀察,這往往會帶來產能過剩和單價下探的反效果。

      這也是中國攪局全球市場,帶來的另一個重要影響

          縱觀全球的存儲市場,尤其是在熱門的3D NAND FLASH市場,有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長江存儲和眾多新進的中國玩家。IC Insights也認為未來3D NAND Flash的市場需求是非常高的,并將會持續增長的。

          而在這些玩家之中,三星在其中國西安的工作制造相關的3D NAND Flash產品,SK海力士則在無錫生產DRAM,而Intel也在今年年初,把其大連工廠轉成3D NAND Flash生產基地。

          需要提一下的是,中國的晶圓代工廠SMIC從很多年前開始,就逐步停止DRAM業務。

          從現在看來,中國本土的存儲產業雖然有點弱小,但是中國大張旗鼓的建設,大基金和政府的支持,這絕對是存儲領域不能忽視的新興力量。

          從IC Insights的報告我們得知,中國現有的存儲勢力包括:

      (1)長江存儲,這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠已經動工,產線預計2017年底或者2018年初投入使用。

      (2)兆易創新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長鑫,專攻DRAM,預計2017年7月動工。

      (3)福建晉華項目,強攻DRAM,由當地政府和聯電攜手打造。預計2018年第三季度量產。

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